台灣參與國際團隊研究改善半導體製程有重大突破,清大研究團隊今天(17日)表示,利用磊晶層轉移技術,成功將各種化合物半導體材料轉移到矽基基板上,實現了化合物半導體材料絕緣層披覆技術,未來可應用於光傳輸相關研究上。而這項重要的研究成果,登上了國際知名的「自然」期刊上。

 

研究團隊指出,化合物半導體是世界上最好的高效能光電半導體材料,但如何讓化合物半導體整合於現階段矽製程技術,是多年來半導體業界關注的首要議題。

 

為克服此一挑戰,國立清華大學材料系助理教授闕郁倫的團隊,與美國加州大學柏克萊分校電子工程與電腦科學系副教授傑維(Ali Javey)團隊,以及美國新墨西哥大學電子與電腦工程系教授克利希納(Sanjay Krishna)團隊共同合作,利用磊晶層轉移技術,成功將各種化合物半導體材料轉移到矽基基板上,實現化合物半導體材料絕緣層披覆技術(XOI)。

 

這項技術未來可應用於整合光電與電子元件混合領域,有助研發不會產生熱且效能更好的光傳輸。闕郁倫說:『(原音)它未來就是有機會,光傳輸這麼有用,用光傳輸取代現在的電傳輸;第二用光來跑,他沒有很多熱能的揮發,不需要有散熱的問題。覺得是很多可以應用到的方向,可是還需要做一個製程上面的整合,需要長時間的整合。』

 

而這項重要的研究成果,在本月份發表於國際知名的「自然」期刊上。

 

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